Für die F&E von optischen EUV-Systemen, Masken, Abziehemulsionsschichten, etc.
Ushio INC. (HQ: Tokio; Präsident und CEO: Kenji Hamashima) gab bekannt, dass am 7. Dezember 2016 das erste Licht* von einer Extrem-Ultravioletten (EUV) Lichtquelle in einer Einrichtung der niederländischen Organisation für angewandte wissenschaftliche Forschung (im Folgenden „TNO”) erreicht wurde.
Diese Leistung ist das Ergebnis einer strategischen Partnerschaft zwischen Ushio INC. und TNO für die Entwicklung der EUV-Technologie, die seit Februar 2016 besteht. Die Zielsetzung sah eine erste Auslieferung im November 2016 und das erste Licht innerhalb desselben Jahres vor. Die Lichtquelle verwendet ein laserunterstütztes, durch Entladungen erzeugtes, Plasma (laser-assisted discharge-produced plasma, Sn LDP) und wird von TNO bei der Erforschung und Entwicklung von EUV-optischen Systemen, Masken, Abziehemulsionsschichten usw. verwendet. TNO wird die mit der Lichtquelle ausgestattete Anlage weiter einstellen und abstimmen und plant, bis April 2017 verschiedene Forschungs- und Evaluierungsdienste für Unternehmen und Organisationen auf der ganzen Welt einzuführen.
Halbleiter sind bereits der Schlüssel für die wachsende IoT- und Automatisierungstechnik von heute, aber weiterer Fortschritt ist nur durch weitere Verbesserungen in ihrer Leistung und Produktion möglich. Die EUV-Lithographietechnologie ist unentbehrlich für den Herstellungsprozess zunehmend miniaturisierter Halbleitern der nächsten Generation. Verschiedene Hersteller von Lithographiegeräten haben bereits die Auslieferung von über 10 verschiedenen EUV-Lithographieanlagen angekündigt, und die weltweit führenden Gerätehersteller erwägen die Umsetzung ebenfalls sorgfältig.
Die, von Ushio INC. Vorangetriebene, praktische Anwendung von Lichtquellen zur Inspektion von Präzisionsmasken ist für die Etablierung des EUV-Lithographieprozesses als Massenproduktionstechnologie unerlässlich und die Leistung des internationalen Forschungsinstituts stellt einen wichtigen Meilenstein dar. Ushio INC. wird diese jüngste technologische Errungenschaft weiterentwickeln und zur somit zum Fortschritt des Halbleiterherstellungsprozesses beitragen.
*Der erste Lichttest ist definiert als: EUV-Licht auf eine Probe in der Belichtungskammer.
Foto: Die, mit einer Ushio-EUV-Lichtquelle ausgestattete, Expositions- und Analyseanlage von TNO
