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USHIO präsentiert leistungsstarke 660nm Single Mode rote Laserdiode

USHIO freut sich, die Präsentation einer neuen rote Laserdiode mit 660nm Wellenlänge ankündigen zu dürfen, die eine Dauerstrichleistung von 200 mW und eine Impulsleistung von 400 mW erzeugt. Die Serie wird mit drei verschiedenen Steckertypen (CC, AC oder FN) unter der Bezeichnung HL65221DG, HL65222DG bzw. HL65223DG erhältlich sein.

Mit dieser neuesten Entwicklung haben die Ingenieure der japanischen Ushio Opto-Semiconductors, Inc. eine beispiellose Präzisionssteuerung für industrielle Sensorik, Messtechnik, medizinische und biologische Anwendungen erreicht. Die kantenemittierende Diode mit verlustarmen Wellenleitern aus Aluminiumgalliumindiumphosphid (AlGaInP) hat sich bei längeren stabilen Betriebszeiten bei hohen Temperaturen als langzeitstabil erwiesen.

Diese Hochleistungslaserdiode verfügt über eine integrierte Monitordiode, die genau auf die Laserwellenlänge abgestimmt ist. Diese einzigartige Konstruktion ermöglicht die Überwachung des Monitordiodenstroms und die Justierung von Leistung und Temperatur, um eine genaue Steuerung und ein stabiles Betriebsverhalten des Lasers zu gewährleisten.

660nm Laserdiode als Beleg für USHIOs technologische Führungsrolle

USHIO hat die individuellen Bedürfnisse seiner Kunden stets im Blick – so auch bei der Entwicklung leistungsstarker und hocheffizienter Laserdioden, die einen längeren Betrieb bei gleichbleibender Ausgangsleistung ermöglichen. Die geringere Wärmeentwicklung ermöglicht ein kompakteres Kühlsystem, und der ebenfalls geringe Stromverbrauch unterstützt dezentrale Anwendungen wie Füllstands- oder Abstandsmessung.

660nm single mode, high-power laser diode

Merkmale & Vorteile

  • Hohe Ausgangsleistung (200 mW im Dauerstrichbetrieb, 400 mW im Pulsbetrieb)
  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Längere Lebensdauer (MTTF 10.000 h)
  • Stabile Leistung durch integrierte Monitordiode

Anwendugen für 660 nm HL65221DG / HL65222DG / HL65223DG

  • Antastung
  • Lichtschranken
  • Distanzmessung
  • Time-of-Flight-Sensorik
  • optoelektronische Sichtsysteme
  • 2D- und 3D-Scanning
  • Biomedizin
  • Gentests/Durchflusszytometrie

Erster Auftritt der Laserdioden mit 200 mW Dauerstrichleistung bzw. 400 mW Impulsleistung auf der Konferenz Novel In-Plane Semiconductor Lasers XIX im Rahmen der SPIE Photonics West

Das Entwicklerteam wird seine Ergebnisse erstmals auf der SPIE Photonics West Opto im Moscone Center, San Francisco, USA, präsentieren. USHIO wird die neue Laserdiode offiziell am Montag, dem 3. Februar 2020 um 14:40 in der ersten Sitzung der Konferenz Novel In-Plane Semiconductor Lasers XIX präsentieren. Die Diskussion wird von Prof. Dr. Michael Kneissl, Geschäftsführender Direktor des Instituts für Festkörperphysik der TU Berlin, geleitet. Ushio Europe wird durch unseren SSL-Vertriebsleiter Ardan Füßmann vertreten, der Ihnen für weitere Fragen gerne zur Verfügung steht – bitte klicken Sie hier.

Weiterführende Literatur

Rote 659nm-Laserdiode für Biomedizinanwendungen bricht Leistungsrekord
Release of High-Power Red Laser Diode for Laser Projectors ― Achieved World’s Highest Pulse Optical Output Power of 3.5W
Offizielle Pressemitteilung:
Release of Red Laser Diode for Sensing and Bio-Medical Applications
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