USHIO INC. und die niederländische Organisation für angewandte wissenschaftliche Forschung (im Folgenden „TNO“) haben heute bekannt gegeben, dass sie eine strategische Partnerschaft eingegangen sind, um die Extrem-Ultravioletten (EUV) -Lithographie zu entwickeln, welche die Halbleiterherstellung der nächsten Generation ermöglicht.

TNO und USHIO bauen gemeinsam eine neue experimentelle EUV-Expositions- und Analyseeinrichtung auf, um strahlungsinduzierte Effekte auf EUV-Optiken und -Masken zu untersuchen. Die neue Anlage, mit der Bezeichnung EBL2, dient dem gemeinsamen Ziel des Verständnisses von Kontaminationseffekten auf Oberflächen unter allen Extrem-Ultravioletten (EUV) -Strahlungsbedingungen, die in der Power-Roadmap für anstehende Lithographie-Werkzeuge vorgesehen sind. Dies beschleunigt die Entwicklung der Lithographie-Systeme, Masken und Abziehemulsionsschichten der nächsten Generation. Die USHIO Hochintensitäts-Sn LDP (“Laser-assisted Discharge-produced Plasma) -EUV-Lichtquelle erzeugt gepulste EUV in einer gut kontrollierten Umgebung, welche den Bedingungen eines Lithographie-Systems ähnelt. Die Musterbearbeitung und der Mustertransport werden automatisiert und bieten Sauberkeitslevel, die hochmodernen Halbleiter-Standards für die EUV-Produktion entsprechen.

Die USHIO Sn LDP-EUV-Lichtquelle kann eine Intensität und Leistung erreichen, die etwa 5- bis 10-Mal höher ist als die von Xenonlampen. Somit erhöht sie den Durchsatz der EUV-Maskeninspektion als Teil der EUV-Lithographie, was in der nächsten Lithographie-Generation, in und nach 2017, übernommen werden soll.

Die EUV-Maskentechnologie ist entscheidend für die Kommerzialisierung der EUV-Lithographie und die Entwicklung von EUV-Maskeninspektionswerkzeugen, wie z.B. die aktinische Blindinspektion (ABI) und die aktinische Musterinspektion (API) etc., ist dafür eine Notwendigkeit. USHIO zielt darauf ab, den, von Geräte- und Maskenherstellern implementierten, Maskeninspektionsprozess erheblich zu unterstützen, indem sie die Inspektionsgerätehersteller mit Inspektionslichtquellen beliefert.

USHIO wird die Veröffentlichung über EUV-Lichtquellen auf der „SPIE Advanced Lithography 2016“ vorstellen, die vom 21. Februar (Sonntag) bis 25. Februar (Donnerstag) 2016 im San Jose McEnery Convention Center und San Jose Marriot in San Jose, Kalifornien, USA stattfinden wird.

Im Bild:

Frau Marring, CFO von TNO und Herr Matsubara, CEO von Ushio Europe B.V.